Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 2 Next

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1986

Text

Stosowanie i regeneracja rozpuszczalników w przemyśle elektronicznym + Use and solvents reqeneration in electronics industry

Jaworska Hanna

1978

Text

Przegląd metod otrzymywania materiałów plazmonicznych oraz wybranych alternatywnych materiałów = Overview of fabrication methods of plasmonic materials and selected alternative materials for plasmonic applications

Korzeb, Karolina

2014

Book/Chapter

Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms

Żelazko Jarosław

2015

Text

Analysis of crystal lattice deformation in the vicinity of dislocation

Jóźwik Przemysław

2015

Text

Metody ilościowej mikroanalizy rent5geowskiej cienkich warstw na podłożach = Correction methods in quantitative electron probe X-ray microanalysis of thin coatings

Sikorski Krzysztof

1987

Text

Wpływ wyjściowego arsenku galu na moc promieniowania dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych = The influence of initial gallium arsenide parameters on power emitted by light-emitting diodes

Kowalski Jerzy

1975

Text

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs = X-ray microanalysis application for the investigation of epitaxial layer chemical composition of AIIIBV group triple compounds with the Ga1-x\alx\as as a representative of this group

Kozłowska Halina

1974

Text

Professor Jan Czochralski - distinguished scientist and inentor

Kurzydłowski Krzysztof Jan

2003

Text

Amorphous chalcogenide semiconductors for solid state dosimetric systems of high-energetic ionizing radiation = Chalkogenkowe półprzewodniki amorficzne do systemów dozymetrycznych wysokoenergetycznego promieniowania jonizującego na podstawie ciał stałych

Shpotyuk Oleg

1997

Text

Warstwy barierowe z tlenków krzemu na foliach poliestrowych do pakowania żywności = SiOx barier films on PET substrates for food packaging

Tomaszewski Henryk

1998

Text

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977

Text

Otrzymywanie warstw SiCN metoda RF sputteringu = SiCN films deposited by RF magnetron sputtering

Stańczyk Beata

2011

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Hruban Andrzej

2013

Text

Evaluation of hydrophobic properties of organic layers modified with graphene flakes

Stańczyk Beata

2017

Book/Chapter

Silicon avalanche photodiodes developed at Institute of Electron Technology

Węgrzecka Iwona

1997

Book/Chapter

Dwuwymiarowość widm w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =Two-dimensional spectra in photoinduced transient spectroscopy

Pawłowski Michał

2000

Text

Mikrostruktura i własności mechaniczne elektrolitu stałego MgPSZ-Al2O3 = Microstructure and mechanical properties of Mg-PSZ-Al2O3 solid electrolyte

Kulczycki Adam

1989

Text

Materiały stykowe w programie prac ITME i CNPME = Contact materials in the working programme of the institute for electronic materials technology and scientific research and production centre

Kowalczyk Jan

1990

Text

Dyfuzja niklu w procesie wzrostu klrzemowych warstw epitaksjalnych = Nickel diffusion during the growth of epitaxial silicon

Plewa Dariusz

1994

Text

Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon

Plewa Dariusz

1995

Text

Podwyższenie wiarygodności rentgenograficznych badań materiałowych przez zastosowanie metody regulacji = On greater reliability of X-ray materials testing by application of regularization method

Frydrychowicz Jerzy

1987

Text

Sposób wyznaczania rezystywności materiałów stykowych na próbkach w kształcie krążków = Procedure of resistivity assigning of contact materials on samples in form of cicrular plates

Chylińska Maria

1985

Text

Pomiary rozkładu amplitudy i fazy akustycznej fali powierzchniowej w krysztale NdCa4O(BO3)3 z wykorzystaniem sondy elektrycznej = Measurements of the amplitude and the phase distribution of a surface acoustic wave in a NdCa4O(BO3)3 crystal using an electric probe

Brzozowski Ernest

2012

Text

1
2
of
2

This page uses 'cookies'. More information