Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

Prev of 3 Next

Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers

Korec Jacek

1978

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Powłoki WC-a:C i MOS2 (Ti, W) na stopie Inconel 600 przeznaczone do pracy w łożyskach foliowych = WC-a:C and MOS2 (Ti, W) layers on Inconel 600 for foil bearing elements

Pietrzak Katarzyna

2014

Book/Chapter

Silicon ball - OSIRIS charge multiplicity filter

Kordyasz A.J.

1996

Book/Chapter

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Nowysz Karol

1975

Text

Badanie powierzchniowej warstwy uszkodzonej na płytkach monokrystalicznych krzemu = Investigation of the damaged surface layer on monocrystalline silicon wafers

Łazowy Barbara

1980

Text

Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych = Effect of technological parameters on the properties of carbon epitaxial layers deposited from the GaS phase on silicon substrates

Żelazko Jarosław

2004

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci = The possibility of application of high resolution x-ray diffraction for determination the structural parameters of epilayers and superlattices

Sass Jerzy

1994

Text

Determination of the thickness of BN layers on the Al2O3substrate by FT-IR spectroscopy

Możdżonek Małgorzata Caban Piotr Gaca Jarosław Wójcik Marek Piątkowska Anna

2020

Book/Chapter

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations

Sass Jerzy

1974

Text

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates

Kot Waldemar

1977

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Pomiar warstw epitaksjalnych metoda C-V przy użyciu sondy rtęciowej = Measurements of the epitaxial layers parameters by means of C-V method with Hg probe

Brzozowski Andrzej

1984

Text

Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych = Influence of metalic contaminations on EBIC signal profiles in silicon epilayers

Pawłowska Marta

1995

Text

Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon

Plewa Dariusz

1995

Text

Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote

Brzozowski Andrzej

1993

Text

Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs(x=0.4)

Pawłowska Marta

1987

Text

Zastosowanie warstw MoMn-FeSi do obudów ceramiczno-metalowych = MoMn-FeSi layers application for ceramics-metal envelopes

Włosiński Władysław

1973

Text

Ocena stopnia zdefektowania warstwy ładunku przestrzennego dyfuzyjnych złącz p-n w arsenku galu = The evaluation of space charge layer defects in gallium arsenide diffusion p-n junctions

Pietras Edward

1975

Text

Badanie dyslokacji w krzemie i w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą rentgenowskiej topografii odbiciowej metodą Berga-Barretta = The investigation of dislocations in Si and in epitaxial Si layers by Berg-Barret x-ray reflection topography

Wierzchowski Wojciech

1975

Text

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs = X-ray microanalysis application for the investigation of epitaxial layer chemical composition of AIIIBV group triple compounds with the Ga1-x\alx\as as a representative of this group

Kozłowska Halina

1974

Text

Wyniki badania warstw MoMnFeSi spiekanych na ceramice alundowej = Sintered layers of MoMnFeSi on alumina ceramics - the results of research

Włosiński Władysław

1975

Text

Microstructure of metallic layers sintered on nitride ceramics depending of the chemical composition of interlayers

Olesińska Wiesława

2002

Text

1
2
3
of
3

This page uses 'cookies'. More information