Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 4 Next

Semiconducting detectors of oxidizing gases

Pisarkiewicz Tadeusz

1996

Book/Chapter

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym = High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method

Brzozowski Andrzej

2013

Book/Chapter

Spajanie ceramiki z metalami = Bonding of ceramics with metals

Olesińska Wiesława

2008

Text

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon

Sarnecki Jerzy

2014

Book/Chapter

Zastosowanie metody betaskopowej do wyznaczania grubości warstw metalizacyjnych na podłożu ceramicznym = The application of radioactive method to thickness measurement of metalizing films on ceramic substrates

Pierzchała-Chylińska, Maria

1975

Text

Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw = Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications

Sakowska Hanna

2001

Text

Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych = Effect of technological parameters on the properties of carbon epitaxial layers deposited from the GaS phase on silicon substrates

Żelazko Jarosław

2004

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Warstwy pośrednie w złączach materiałów różnoimiennych = Interface between metal and nonmetal seals

Włosiński, Władysław K

1984

Book/Chapter

Penetracja wzajemna w układach warstwowych nikiel-srebro i nikiel-miedź-srebro = Investigation of layered Ni-Ag and Ni-Cu-Ag films

Wehr Anna

1993

Text

Badanie adhezji warstw miedziowych metodą mikroanalizy rentgenowskiej = Investigations of copper films adhesion by x-ray microanalysis

Jakubowska Małgorzata

1993

Text

Metody ilościowej mikroanalizy rent5geowskiej cienkich warstw na podłożach = Correction methods in quantitative electron probe X-ray microanalysis of thin coatings

Sikorski Krzysztof

1987

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

Struktura warstw pośrednich i jej wpływ na wytrzymałoąść połączenia ceramiki z metalem = Influence of layer-ceramic interface structure on ceramic - to - metal seals

Grodziński, Andrzej

1984

Book/Chapter

Badania nad optymalizacją procesów technologicznych = Investigation of technologic processes optimization

Przyłuski Jan

1980

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers

Sarnecki Jerzy

1997

Text

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures

Tomaszewski Jacek

1981

Text

Inżynieria Materiałów Elektronicznych. II Seminarium zorganizowane pod patronatem KBN 16 grudnia 1997 roku

1997

Text

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Book/Chapter

The main properties of amorphous antireflective coating for silicon solar cells = Najważniejsze właściwości amorficznych warstw antyrefleksyjnych (ARC) do zastosowań w krzemowych ogniwach słonecznych

Swatowska Barbara

2008

Text

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44

Gładysz Maria

1983

Text

1
2
of
4

This page uses 'cookies'. More information