Micromechanics on silicon - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Micromechanics on silicon

Pobierz

Tytuł: Micromechanics on silicon

Twórca:

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

MST News Poland 3/1996.

Wydawca:

Institute of Electronic Materials Technology

Miejsce wydania:

Opis:

s. 3-7 : il. ; 30 cm ; Bibliogr. s. 6-7

Typ obiektu:

Czasopismo/Seria/cykl:

MST News Poland

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:38993

Źródło:

ITME, sygn. ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Institute of Electronic Materials Technology

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

micromechanics Si

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Artykuły

Data ostatniej modyfikacji:

5 lis 2014

Data dodania obiektu:

27 sty 2014

Liczba pobrań / odtworzeń:

748

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/itme/publication/55851

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

ARTYKUŁY

Nazwa wydania	Data
Dziuban Jan, Micromechanics on silicon	5 lis 2014

Obiekty Podobne

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej = New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method

Kozubal Michał

2013

Text

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Tymicki Emil

2012

Text

Zastosowanie Fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni do badania interfejsu SiO2//Si w łączonych strukturach SOI = Infrared spectroscopic analysis of the SiO2??Si interface of SOI structures

Możdżonek Małgorzata

2008

Text

Więcej

Styl cytowania:

ISO690 APA MLA Chicago

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji