Filtry
  • Resource type
  • Kolekcje
  • Type of object
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Date issued/created A date associated with an event in the life cycle of the resource
  • Access
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- material] lub [Temat i słowa kluczowe = GaAs] lub [Temat i słowa kluczowe = MESFET] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = GaAs] lub [Temat i słowa kluczowe = MESFET] lub [Tytuł = Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's] lub [Tytuł = Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET] lub [Twórca = Kot Waldemar] lub [Twórca = Kot Waldemar]

Wyników: 919

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Układy scalone z arsenku galu

Marciniak Wiesław

1990
Tekst

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości

Rosiński Witold

1990
Tekst

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych

Hruban Andrzej

1990
Tekst

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET

Kamiński Paweł

1993
Tekst

Światowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu

Milwidskij M.G

1976
Tekst

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990
Tekst

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji

Pawłowska Marta

1988
Tekst

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 1

Nishizawa Jun-ichi

1996
Tekst

Impulsowe wygrzewanie implantowanego arsenku galu

Rosiński Witold

1996
Tekst

Siła piezotermoelektryczna w arsenku galu typu p

Swiridow Iwan

1973
Tekst

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003
Tekst

Problemy związane z jakością arsenku galu w technologii dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych = Quality problems in the technology of GaAs LEDs

Pietras Edward

1977
Tekst

Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 nr 1(77)

1992
Tekst

Wpływ wyjściowego arsenku galu na moc promieniowania dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych

Kowalski Jerzy

1975
Tekst

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973
Książka/Rozdział

MMIC'S on gallium arsenide developed in the Institute of Electronic Materials Technology

Dobrzański Lech

1992
Tekst

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs

Strzelecka Stanisława

1992
Tekst

Badania wysokooporowego arsenku galu

Nowysz Karol

1973
Tekst

Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE

Strupiński Włodzimierz

1993
Tekst

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej

Drabik Wojciech

1983
Tekst

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976
Tekst

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej

Rupniewski Wojciech

1976
Tekst

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP

Drabik Wojciech

1983
Tekst

Deterministyczny, stałoprądowy model empiryczny oraz model statystyczny tranzystora MESFET z arsenku galu. Ropzrawa doktorska

Dobrzański Lech

1993
Tekst

Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji

Pawłowska Marta

1990
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji