Search for: ([Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = epitaxy] OR [Subject and Keywords = GaAs] OR [Subject and Keywords = doping profile] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = epitaksja] OR [Subject and Keywords = profil koncentracji domieszki] OR [Subject and Keywords = GaAs] OR [Title = Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods] OR [Title = Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE] OR [Creator = Strupiński Włodzimierz] OR [Creator = Strupiński Włodzimierz])

Number of results: 924

Items per page:

add all to bibliography

Prev of 39 Next

Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny = Phosphorus contents profile measurement in GaAs1-xPx epitaxial layers, based on photovoltaic phenomenon

Roszkiewicz Krzysztof

1981

Text

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Hruban Andrzej

2013

Text

Wpływ pola magnetycznego na proces monokrystalizacji krzemu metodą Czochralskiego = Effect of magnetic field on Czochralski monocrystallisation of silicon

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisława

2009

Text

Ocena stopnia zdefektowania warstwy ładunku przestrzennego dyfuzyjnych złącz p-n w arsenku galu = The evaluation of space charge layer defects in gallium arsenide diffusion p-n junctions

Pietras Edward

1975

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44

Gładysz Maria

1983

Text

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej = The production of thin GaP lauers by vapour phase epitaxy

Strupiński Włodzimierz

1988

Text

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Mechanical properties of graphene flake-reinforced Y2O3 ceramics

Boniecki Marek

2015

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Dyfuzja niklu w procesie wzrostu klrzemowych warstw epitaksjalnych = Nickel diffusion during the growth of epitaxial silicon

Plewa Dariusz

1994

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Korec Jacek

1985

Text

Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers

Korec Jacek

1978

Text

Osobliwości wzrostu warstw epitaksjalnych z ograniczonej objętości roztworu ciekłego = Peculiarties of the epitaxial layers fropm limited volume of liquid solution

Litwin A.A.

1976

Text

Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod = Characterization of mercury cadmium telluride (Hg, Cd, Te) epitaxial layers using the manufacturing photodiodes

Królicka Aleksandra

2011

Text

Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1984

Text

Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

Metodyka badania warstw epitaksjalnych krzemu za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego z zastosowaniem map linii Kikuchi = The method of study for the silicon epitaxial monolayers by means of transmission electron microscope with use of Kikuchi lines map

Rupniewski Wojciech

1979

Text

Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji = Generation of dislocation slips in Si wafers during epitaxial process

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

Filters

Number of results: 924

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by