Filters
How to search... Advanced search
RCIN and OZwRCIN projects

Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = DLTS] OR [Subject and Keywords = 4H\-SiC] OR [Subject and Keywords = electron traps] OR [Subject and Keywords = points defects] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = 4H\-SiC] OR [Subject and Keywords = DLTS] OR [Subject and Keywords = pułapka elektronowa] OR [Subject and Keywords = defekt punktowy] OR [Title = Deep\-level deffects in epitaxial 4H\-SiC irradiated with low\-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H\-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii] OR [Title = Deep\-level deffects in epitaxial 4H\-SiC irradiated with low\-energy electrons] OR [Creator = Kamiński Paweł] OR [Creator = Kamiński Paweł]

Number of results: 921

Items per page:
add all to bibliography

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Caban Piotr

2008
Text

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

Kozubal Michał

2010
Text

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011
Text

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Kamiński Paweł

2007
Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991
Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991
Text

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure

Kamiński Paweł

1996
Text

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy

Lamperski Jan

1983
Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011
Text

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Kozłowski Roman

1998
Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985
Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986
Text

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006
Text

Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottky'ego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers

Kamiński Paweł

1978
Text

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs

Kamiński Paweł

1993
Text

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

Kozubal Michał

2013
Book/Chapter

Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =

Pawłowski Michał

2004
Text

Zastosowanie transformacji Hough'a do analizy dwuwymiarowych widm PITS = Implantation of the hough transformation to the analysis of two-dimensional PITS spectra

Pawłowski Michał

2006
Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017
Book/Chapter

Electronic Materials

2020
Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014
Book/Chapter

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

2013
Book/Chapter

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition / Rafał Stankiewicz, Anna PiDatkowska.

Stankiewicz, Rafał.

2018.
Book/Chapter

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.
Book/Chapter

Spis treści 1990 nr 3(71) = Content 1990 nr 3(71)

1990
Text

Technical contact

Address

Institute of Electronic Materials Technology
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa, Poland

Financing:

Project I

Project "Digital Repository of Scientific Institutes" [RCIN] co-financed by Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund.




Project II

Project "Open Resources in the Digital Repository of Scientific Institutes" [OZwRCIN] co-financed by Operational Program Digital Poland, 2014-2020, Measure 2.3: Digital accessibility and usefulness of public sector information; funds from the European Regional Development Fund and national co-financing from the state budget.





Partners funds

Works related to making new facilities available in the RCIN service are also co-financed by the Partners.

Partnership:

Website created by

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

This page uses 'cookies'. More information