Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: ([Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = DLTS] lub [Temat i słowa kluczowe = 4H\-SiC] lub [Temat i słowa kluczowe = electron traps] lub [Temat i słowa kluczowe = points defects] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = 4H\-SiC] lub [Temat i słowa kluczowe = DLTS] lub [Temat i słowa kluczowe = pułapka elektronowa] lub [Temat i słowa kluczowe = defekt punktowy] lub [Tytuł = Deep\-level deffects in epitaxial 4H\-SiC irradiated with low\-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H\-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii] lub [Tytuł = Deep\-level deffects in epitaxial 4H\-SiC irradiated with low\-energy electrons] lub [Twórca = Kamiński Paweł] lub [Twórca = Kamiński Paweł])

Wyników: 921

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008
Tekst

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2010
Tekst

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011
Tekst

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007
Tekst

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV

Kamiński Paweł

1991
Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991
Tekst

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień

Kamiński Paweł

1996
Tekst

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów

Lamperski Jan

1983
Tekst

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011
Tekst

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

Kozłowski Roman

1998
Tekst

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985
Tekst

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te

Kamiński Paweł

1986
Tekst

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006
Tekst

Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottky'ego

Kamiński Paweł

1978
Tekst

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET

Kamiński Paweł

1993
Tekst

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2013
Książka/Rozdział

Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej

Pawłowski Michał

2004
Tekst

Zastosowanie transformacji Hough'a do analizy dwuwymiarowych widm PITS

Pawłowski Michał

2006
Tekst

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017
Książka/Rozdział

Materiały Elektroniczne

2020
Książka/Rozdział

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014
Książka/Rozdział

Spis treści 2013 T. 41 nr 4

2013
Książka/Rozdział

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition

Stankiewicz Rafał Piątkowska Anna

2018
Książka/Rozdział

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.
Książka/Rozdział

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT ROZWOJU WSI I ROLNICTWA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOCYBERNETYKI I INŻYNIERII BIOMEDYCZNEJ IM. MACIEJA NAŁĘCZA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FIZYKI PAN ; INSTYTUT TECHNOLOGII BEZPIECZEŃSTWA „MORATEX” ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji