Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = MOCVD] lub [Temat i słowa kluczowe = heterostructure] lub [Temat i słowa kluczowe = AIIIBV] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = MOCVD] lub [Temat i słowa kluczowe = heterostruktura] lub [Temat i słowa kluczowe = AIIIBV] lub [Tytuł = Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology] lub [Tytuł = Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD] lub [Twórca = Wesołowski Marek] lub [Twórca = Wesołowski Marek]

Wyników: 919

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji

Jasik Agata

1997
Tekst

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe

Strupiński Włodzimierz

1995
Tekst

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIbV

Świderski Jarosław

1976
Tekst

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni

Piga Witold

1983
Tekst

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typuA3IIB2V

Żdanowicz Witold

1976
Tekst

Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod

Królicka Aleksandra

2011
Tekst

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV

Pawłowska Joanna

2008
Tekst

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR

Jabłoński Ryszard

1986
Tekst

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV

Otto Elżbieta

1981
Tekst

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV

Gaca Jarosław

2005
Tekst

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych

Pietras Edward

1973
Książka/Rozdział

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV

Kamiński Paweł

1991
Tekst

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR

Palczewska Maria

1995
Tekst

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechniometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Nishizawa Jun-ichi

1997
Tekst

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych

Wierzchowski Wojciech

1994
Tekst

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge

Dumiszewska Ewa

2011
Tekst

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985
Tekst

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC

Dalecki Wojciech

1997
Tekst

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs

Kozłowska Halina

1974
Tekst

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV

Sass Jerzy

2000
Tekst

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990
Tekst

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych

Lenkiewicz D.

2007
Tekst

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007
Tekst

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych

Bugajski Maciej

1990
Tekst

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

Kozłowski Roman

1998
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji