Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- material] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic materials] lub [Temat i słowa kluczowe = photoluminescence] lub [Temat i słowa kluczowe = GaP] lub [Temat i słowa kluczowe = native defects] lub [Temat i słowa kluczowe = Hall measurements] lub [Temat i słowa kluczowe = ESR] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = fotoluminescencja] lub [Temat i słowa kluczowe = GaP] lub [Temat i słowa kluczowe = defekt samoistny] lub [Temat i słowa kluczowe = Hall] lub [Temat i słowa kluczowe = ESR] lub [Tytuł = Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC] lub [Tytuł = Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC] lub [Twórca = Surma Barbara] lub [Twórca = Surma Barbara]

Wyników: 918

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne

Strupiński Włodzimierz

1985
Tekst

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2006
Tekst

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej

Strupiński Włodzimierz

1988
Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991
Tekst

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2007
Tekst

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2009
Tekst

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge

Dumiszewska Ewa

2011
Tekst

Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111>

Orłowski Wacław

2010
Tekst

Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP

Strzelecka Stanisława

2009
Tekst

Własności linii wW w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami

Surma Barbara

2010
Tekst

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 4(76)

1991
Tekst

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs

Surma Barbara

1994
Tekst

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Pawłowski Mariusz

2008
Tekst

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR

Palczewska Maria

1995
Tekst

Elektronowy rezonans paramagnetyczny w układach lokalnie uporządkowanych

Jabłoński Ryszard

1996
Tekst

Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4)

Jabłoński Ryszard

1997
Tekst

Badania optyczne i ESR monokryształów CaNdAlO4

Jabłoński Ryszard

1993
Tekst

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami

Jabłoński Ryszard

1988
Tekst

Fotoluminescencja krzemu porowatego

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1993
Tekst

Wyjaśnienie całkowitego i ułamkowego zjawiska Halla

Wadas Romuald S.

1988
Tekst

Udział pracowników ITME w konferencjach 1994 T.22 nr 2

1994
Tekst

Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5. Praca doktorska

Palczewska Maria

1993
Tekst

Urządzenie adaptujące wyniki pomiaru Halla do rejestratora X - Y

Matusewicz Stefan

1979
Tekst

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017
Książka/Rozdział

Materiały Elektroniczne

2020
Książka/Rozdział

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji