Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Strupiński Włodzimierz ; Kosiel Kamil
47-58 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 57-58
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms
Institute of Electronic Materials Technology
Library of the Electronic Materials Technology Institute
Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund
2 paź 2020
22 lis 2012
1265
https://rcin.org.pl/publication/15248
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Jasik Agata, Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z uzyciem metaloorganiki (MOVPE) | 2 paź 2020 |
Jasik Agata
Dumiszewska Ewa
Caban Piotr
Tomaszewski Jacek
Wesołowski Marek