Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Download

Title: Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2

Contributor:

Publisher:

Place of publishing:

Description:

38-46 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 45

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:7805

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - material Electronic materials photoluminescence GaP native defects Hall measurements ESR

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jul 13, 2012

Number of object content downloads / hits:

421

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/publication/21273

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Surma Barbara, Optical studies of undoped GaP grown by LEC method	Oct 2, 2020

Objects Similar

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka, Stanisława

2006

Text

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej = The production of thin GaP lauers by vapour phase epitaxy

Strupiński Włodzimierz

1988

Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range

Strzelecka Stanisława

2007

Text

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisław

2009

Text

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Dumiszewska Ewa

2011

Text

Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction

Orłowski Wacław

2010

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information