Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej = The investigation of the non-ideal structure of the GaAs(P)/GaAs superlattice by means of XRD technique - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej = The investigation of the non-ideal structure of the GaAs(P)/GaAs superlattice by means of XRD technique

Pobierz

Tytuł: Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej = The investigation of the non-ideal structure of the GaAs(P)/GaAs superlattice by means of XRD technique

Twórca:

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 4

Współtwórca:

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

34-43 s. : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 43

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:14653

Źródło:

kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - materials Electronic - journal - materials superlattice InGaAs.GaAsP XRD

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

2 paź 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

647

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/publication/14633

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Wójcik Marek, Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Wpływ obszarów koherentnego rozpraszania w materiałach ze strukturą modulowaną na rentgenowskie widmo dyfrakcyjne. Praca doktorska = Influence of coherent scattering areas in materials with a modulated structure on X-ray diffraction pattern

Wójcik Marek

1997

Book/Chapter

Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie = The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers

Wójcik Marek

2008

Text

Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001] = Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate

Wójcik Marek

2011

Text

Analiza rentgenowskiego widma periodycznej supersieci = Analysis of the X-ray intensity spectrum for the periode superlattice

Wójcik Marek

1988

Text

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci = The possibility of application of high resolution x-ray diffraction for determination the structural parameters of epilayers and superlattices

Sass Jerzy

1994

Text

Analiza profilu rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego w przypadku jednowymiarowej modulacji składu chemicznego. Praca doktorska = Analysis of the X-ray diffraction pattern profile in the case of one-dimensional modulation of the chemical composition

Gaca Jarosław

1997

Book/Chapter

Effect of RF magnetron sputtering conditions on microstructure and X-ray characteristics of yttria-stabilized zirconia thin films = Wpływ warunków sputeringu magnetronowego na mikrostrukturę i charakterystykę rentgenowską cienkich warstw dwutlenku cyrkonu stabilizowanego tlenkiem itru

Tomaszewski Henryk

1996

Text

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji