Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
26-34 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 33-34
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
2 paź 2020
14 maj 2013
521
https://rcin.org.pl/publication/16632
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Kamiński Paweł, Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons | 2 paź 2020 |
Kozubal Michał
Tymicki Emil
Kamiński Paweł
Kamiński Paweł
Kamiński Paweł